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硒化銦晶體 In2Se3(Indium Selenide)
晶體尺寸：8-10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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