基于零維硫化鉛量子點(diǎn)與二維二硒化鎢納米片協(xié)同效應(yīng)的高性能寬光譜光電場(chǎng)效應(yīng)晶體管

近年來(lái)，伴隨石墨烯研究發(fā)展而來(lái)的二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔铮═MD）因其天然的半導(dǎo)體性，原子級(jí)的材料維度、超高的載流子傳輸能力等物理屬性而成為當(dāng)前光電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。基于TMD的各類(lèi)新穎器件被廣泛地應(yīng)用于電子、光電、傳感等領(lǐng)域。作為一類(lèi)典型的p型二維材料，巨納集團(tuán)低維材料在線91cailiao.cn提供的二硒化鎢擁有達(dá)到350cm?1V?1s?1的高遷移率以及1.6 eV的合適帶隙，是制備高靈敏光電探測(cè)器的理想材料。最近，基于二硒化鎢納米片的光電探測(cè)器被廣泛報(bào)道，然而由于其較弱的光吸收和較窄的光譜響應(yīng)范圍，導(dǎo)致其光響應(yīng)率不理想（0.02–7 AW–1），嚴(yán)重限制了其在微弱光電信號(hào)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用。另一方面，低成本硫化鉛量子點(diǎn)由于其極強(qiáng)的光吸收能力、溶液加工特性和可調(diào)的光響應(yīng)特性被認(rèn)為是柔性光電器件的明星候選材料，其被廣泛地應(yīng)用于近紅外探測(cè)、光伏和光譜分析。美中不足的是硫化鉛量子點(diǎn)光電探測(cè)器的響應(yīng)率被其本身的低載流子遷移率所限制，阻礙了其在光電探測(cè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
基于以上兩類(lèi)器件的長(zhǎng)期研究和積累，結(jié)合當(dāng)前零維-二維雜化器件的研究現(xiàn)狀，華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（籌）宋海勝和唐江教授研究團(tuán)隊(duì)巧妙利用了二硒化鎢和硫化鉛量子點(diǎn)優(yōu)越互補(bǔ)特性設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了零維-二維協(xié)同工作的高性能光電探測(cè)器。這種構(gòu)建策略將量子點(diǎn)的光吸收特性與二維材料的高遷移率相結(jié)合，構(gòu)建了零維-二維器件結(jié)構(gòu)與type-II的能帶結(jié)構(gòu)，器件表現(xiàn)出超高的光響應(yīng)度，達(dá)到了2×105 A/W，比單立材料制成的對(duì)應(yīng)器件響應(yīng)率高出了4個(gè)數(shù)量級(jí)。高響應(yīng)率產(chǎn)生機(jī)制被證實(shí)來(lái)源于光致柵控效應(yīng)。硫化鉛量子點(diǎn)能夠高效吸收入射光子，并將光生空穴注入到二硒化鎢導(dǎo)電溝道，而光生電子被俘獲在硫化鉛量子點(diǎn)層，延長(zhǎng)了光生載流子壽命，從而對(duì)二硒化鎢起到光電導(dǎo)調(diào)控作用；同時(shí)，由于二硒化鎢的高遷移率，大大減少了光生載流子在導(dǎo)電溝道的渡越時(shí)間，提高了器件的增益。與已報(bào)道的類(lèi)似（零維-二維）結(jié)構(gòu)的器件相比，該器件表現(xiàn)出更低的暗電流與更高的開(kāi)關(guān)比；在整個(gè)柵控電壓范圍內(nèi)，不論是開(kāi)態(tài)還是關(guān)態(tài)，該器件都可正常工作。研制的零維-二維雜化器件在表現(xiàn)出高響應(yīng)度的同時(shí)也擁有高的比探測(cè)率（7×1013 Jones）和快速的響應(yīng)速度（7 ms）；由于量子點(diǎn)的光敏特性，其光譜響應(yīng)范圍也相應(yīng)拓寬到近紅外范圍，實(shí)現(xiàn)紫外到近紅外的寬光譜探測(cè)。以上系列核心優(yōu)勢(shì)使其在光電探測(cè)領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。該項(xiàng)研究不僅為高性能光電探測(cè)器的研制提供了新思路，也為光電探測(cè)領(lǐng)域豐富了材料的選擇性，拓寬了器件的應(yīng)用范圍。

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